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產(chǎn)品中心KDB-1A雜質(zhì)濃度測試儀
雜質(zhì)濃度測試儀
產(chǎn)品簡介
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產(chǎn)品分類article
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雜質(zhì)濃度測試儀
雜質(zhì)濃度測試儀
產(chǎn)品型號： KDB-1A
產(chǎn)品簡介
原理：根據(jù)硅、鍺單晶的遷移率、電阻率和雜質(zhì)濃度的關系，可直接測量、計算出晶體內(nèi)的雜質(zhì)濃度。
適用范圍：它適合于測量橫截面尺寸是可測量的，而且棒的長度大于橫截面線度的有規(guī)則的長棒，例如橫斷面為圓形、正方形、長方形或梯形的單晶或多晶錠。
用途：根據(jù)測量沿錠長雜質(zhì)濃度的分布狀況決定產(chǎn)品的合格部分，通過雜質(zhì)濃度的直接測量，決定晶體生長過程中的摻雜數(shù)量。
樣品可在常溫或低溫下測量。
顯示方式：儀器連接PC機，通過**用測試軟件計算，用對數(shù)坐標的方式來顯示雜質(zhì)濃度（含次方數(shù)）沿錠長的分布曲線，可對曲線圖進行打印和保存。
測量范圍： 可測晶體電阻率：0.005-3000Ω·cm。
直流數(shù)字電壓表測量范圍：0-199.99mV，靈敏度：10μA。
用途：根據(jù)測量沿錠長雜質(zhì)濃度的分布狀況決定產(chǎn)品的合格部分，通過雜質(zhì)濃度的直接測量，決定晶體生長過程中的摻雜數(shù)量。
樣品可在常溫或低溫下測量。
顯示方式：儀器連接PC機，通過**用測試軟件計算，用對數(shù)坐標的方式來顯示雜質(zhì)濃度（含次方數(shù)）沿錠長的分布曲線，可對曲線圖進行打印和保存。
測量范圍： 可測晶體電阻率：0.005-3000Ω·cm。
直流數(shù)字電壓表測量范圍：0-199.99mV，靈敏度：10μA。
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